ВАНТ №4 2001

СОДЕРЖАНИЕ СТАТЬЯ

ИССЛЕДОВАНИЕ СИСТЕМЫ GaSb+Bi МЕТОДОМ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ПРОТОНОВ

В.А. Цымбал
Научно-производственный комплекс «Возобновляемые источники энергии и ресурсосберегающие технологии» ННЦ ХФТИ, г. Харьков, Украина, e-mail: nsc@kipt.kharkov.ua;
В.В. Слезов
Институт теоретической физики ННЦ ХФТИ, г. Харьков;
И.Н. Колупаев
Политехнический университет, г. Харьков


Исследована термическая стабильность диффузионных барьеров на основе пленок Вi при различных способах получения пленок. Исследования проводились на электростатическом ускорителе ХНУ им. Каразина В.Н. в условиях изотермического отжига непосредственно под пучком протонов с энергией 1,85 МэВ
УДК 539.12.04


Досліджена термічна стабільність дифузійних бар’єрів на основі плівок Ві при різних способах отримання плівок. Дослідження проводились на електростатичному прискорювачі ХНУ ім. Каразіна В.Н. в умовах ізотермічного отжигу безпосередньо під пучком протонів з енергією 1,85 МеВ.


The thermal stability of diffusion barriers is explored on the basis of Bi films at different expedients of deriving of films. The examinations were conducted on the electrostatic accelerator at KNU of name Karazin V.N. under conditions of an isothermal bakeout directly under a proton beam of 1,85 MeV energy.