ВАНТ №3 2003
СОДЕРЖАНИЕ СТАТЬЯ

ПОДВИЖНОСТЬ ДИСЛОКАЦИЙ В КРИСТАЛЛАХ LiF, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ЭЛЕКТРОНАМИ

А.К. Малик, И.М. Неклюдов
ННЦ ХФТИ, г. Харьков, Украина


После облучения кристаллов LiF электронами с энергиями 35 и 100 МэВ в интервале доз 109...1014 эл/см2 обнаружена немонотонная зависимость подвижности дислокаций от дозы, связанная, по-видимому, как с концентрацией и мощностью радиационных дефектов, так и с особенностями процессов двойного поперечного скольжения.
УДК 539.12.04:549.541

РУХЛИВІСТЬ ДИСЛОКАЦІЙ В КРИСТАЛАХ LiF, ОПРОМІНЕНИХ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ

А.К. Малик, І.М. Неклюдов


Після опромінення кристалів LiF електронами з енергією 35 та 100 МеВ у інтервалі доз 109...1014 ел/см2 виявлена немонотонна залежність рухомості дислокації від дози, яка зв’язана, мабудь, як з концентрацією та потужністю радіаційних дефектів, так і з особливостями процесів подвійного поперечного ковзання.

DISLOCATION MOBILITY IN LiF CRISTALS IRRADIATED BY HIGH-ENERGY ELECTRONS

A.K. Malyk, I.M. Neklyudov


A nonmonotonic dependence of the dislocation mobilityon fluence was reveled in LiF crystals irradiated by the electrons with energy 35 and 100 Mev at fluences in interval 109...1014 el/cm2 which, to all appearance, is connected to a concentration and capacity of radiation defects and peculiarities of the doublecross sliding.