ВАНТ №3 2005

СОДЕРЖАНИЕ СТАТЬЯ

RADIATION-INDUCED PROCESSES IN A2B6 AND OXIDE COMPOUNDS UNDER PROTON AND GAMMA-IRRADIATION


N.G. Starzhinskiy, V.D. Ryzhikov, L.P. Gal’chinetskiy, L.L. Nagornaya, V.I. Silin
Concern “Institute for Single Crystals” of the National Academy of sciences of Ukraine, Kharkov, Ukraine


Changes in scintillation and optical properties of semiconductor scintillators (SCS) based on ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) and CdWO4 (CWO) crystals were studied under influence of ionizing radiations: gamma (~1.3 MeV, up to 500 Mrad), protons (~18 MeV, fluence up to 1016 perЧcm-2), electrons (0.54 to 2.26 MeV, up to 50 Mrad), and neutrons (source - thermal reactor channel, fluence up to 1018 perЧcm-2). SCS and CWO crystals have high radiation stability (RS) towards irradiation by gamma-rays and neutrons. Under proton irradiation, CWO scintillators have much higher RS as compared with SCS. For SCS under gamma-irradiation with Dg(2…5)Ч109 rad and Pg=7.7Ч102 RЧs-1, in the surface layer (estimated in tens of nanometers) radiolysis of the crystalline structure occurs, and the loss of mass is observed for the samples (at Т=320 К).

РАДИАЦИОННО-ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ В A2B6 И ОКСИДНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ ПОД ПРОТОННЫМ И ГАММА-ОБЛУЧЕНИЕМ


Н.Г. Старжинский, В.Д. Рыжиков, Л.П. Гальчинецкий, Л.Л. Нагорная, В.И. Силин


Изучено изменение сцинтилляционных и оптических свойств полупроводниковых сцинтилляторов (ППС) ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) и CdWO4 (CWO) кристаллов при воздействии различных видов ионизи-рующих излучений (гамма, протонов, нейтронов). При облучении кристаллов ППС нейтронами их световыход возраста-ет на 20…150 % и наблюдаются заметные изменения их оптических характеристик в видимом и инфракрасном диапазо-нах. Протонное облучение приводит к существенной деградации оптических и сцинтилляционных параметров кристал-лов ППС, при этом в инфракрасной области наблюдаются селективные полосы поглощения (при 4…7 мкм). Кристаллы CWO обладают более высокой радиационной стойкостью к протонному облучению, чем ППС. При высоких дозах облу-чения ППС (D>2…5·109 рад) в поверхностном слое кристаллов наблюдаются процессы радиолиза и потеря массы облу-ченных образцов.

РАДИАЦІЙНО-ВИПРОМІНЮВАЛЬНІ ПРОЦЕСИ В A2B6 ТА ОКСИДНИХ СПОЛУЧЕННЯХ ПІД ПРОТОННИМ ТА ГАМА-ОПРОМІНЕННЯМ


М.Г. Старжинський, В.Д. Рижиков, Л.П. Гальчинецький, Л.Л. Нагорна, В.І. Сілін


Вивчено зміну сцинтиляційних і оптичних властивостей напівпровідникових сцинтиляторів (НПС) ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) та CdWO4 (CWO) кристалів при впливі різних видів іонізуючих випромінювань (гамма, протонів, нейтронів). При опроміненні кристалів НПС нейтронами їх світловий вихід зростає на 20...150 % і спостеріга-ються помітні зміни їхніх оптичних характеристик у видимому та інфрачервоному діапазонах. Протонне опромінення приводить до суттєвої деградації оптичних та сцинтиляційних параметрів кристалів НПС при тому в інфрачервоній об-ласті спостерігаються селективні смуги поглинання (при 4...7 мкм). Кристали CWO мають більш високу радіаційну стій-кість до протонного опромінення, ніж НПС. При високих дозах опромінення НПС (D>2...5·109 рад) у поверхневому шарі кристалів спостерігаються процеси радіолізу і втрата маси опромінених зразків.