ВАНТ №6 2005

CONTENTS СОДЕРЖАНИЕ СТАТЬЯ

STUDYING ELECTRO-PHYSICAL CHARACTERISTICS OF DETECTING ELEMENTS ON THE OHMIC SIDE OF SILICON MICROSTRIP DETECTOR


N.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev
National Science Center “Kharkov Institute of Physics and Technology”, Kharkov, Ukraine
e-mail: astarodubtsev@kipt.kharkov.ua


The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode separating p+ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p+ stop structure on the DSMD interstrip resistance and interstrip capacitance is considered.

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОМИЧЕСКОЙ СТОРОНЕ КРЕМНИЕВОГО МИКРОСТРИПОВОГО ДЕТЕКТОРА


Н.И. Маслов, С.М. Потин, А.Ф. Стародубцев


Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов (ДСМД), имеющих диодные разделяющие p+ стоп структуры различных типов и размера. Рассмотрено влияние p+ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД.

ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТУЮЧИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОМІЧНІЙ СТОРОНІ КРЕМНІЄВОГО МІКРОСТРИПОВОГО ДЕТЕКТОРА


М.І. Маслов, С.М. Потін, О.Ф. Стародубцев


Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p+ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p+ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД.