ВАНТ №3 2003

V. Ryzhikov¹, V. Koshkin², N. Starzhinskiy¹, E. Ibragimova³, A. Gafarov³, A. Kist³, B. Oksengendler³, L. Gal’chinetskii¹, K. Katrunov¹, S. Galkin¹, V. Silin^1
1Concern “Institute for Single Crystals” NASU, 60 Lenin Ave., 61001 Kharkov, Ukraine,
²National Technical University “KhPI”, Kharkov, Ukraine
³Institute of Nuclear Physics АSUzb, Tashkent, Uzbekistan

Effects have been studied of gamma-radiation (Е_g=1.25 МeV) in doses of D_gЈ5^.10⁹ rad upon light output and spectral-kinetic luminescence characteristics of new semiconductor scintillators (SCS) based on isovalently doped (with tellurium and oxygen) zinc selenide crystals. SCS crystals have been shown to be of extremely high radiation stability, and changes in their optical and luminescent properties became noticeable only under doses D_g>(7^.9)^.10⁷ rad. Under gamma-irradiation with D_g>(2-5)^.10⁹ rad and P_g=7.7^.10² R^.s^-1, in the surface layer (estimated in tens of nanometers) radiolysis of the crystalline structure occurs, and the loss of mass is observed for the samples (at Т=320 К). Mechanisms are considered that describes variation of SCS properties under powerful radiation fluxes.
УДК 539.1.074.5:546.23’47

В.Д. Рижиков, В.М. Кошкін, М.Г. Старжинський, Е.М. Ибрагимова, А.А. Гафаров, Л.П. Гальчинецький, К.О. Катрунов, В.І. Сілін

Вивчено вплив гамма-випромінення з енергією Е_g=1.25 МеВ і дозами D_gЈ5^.10⁹ рад а також нейтронів (Е_n>0.55 еВ, з них 85% с Е_n>3 МеВ) на світловий вихід і спектрально-кінетичні характеристики люмінесценції нових напівпровідникових сцинтиляторів (НПС) на основі ізовалентно легованих (телуром, киснем) кристалів селеніда цинку. Показано, що кристали НПС мають дуже високу радіаційну стійкість, і зміна їх оптичних і люмінесцентних властивостей стає помітним тільки при дозах D_g>(7…9)^.10⁷ рад. При дозах гамма-випромінення D_g>(2…5)^.10⁹ рад і P_g=7.7^.10² Р^.с^-1 у поверхневому прошарку, оцінюваному в десятки нм, спостерігаються радіоліз кристалічної структури і втрата маси зразків (при Т=320 К). Розглянуто механізми змін властивостей НПС під дією потужних потоків випромінювань.

В.Д. Рыжиков, В.М. Кошкин, Н.Г. Старжинский, Э.М. Ибрагимова, А.А. Гафаров, Л.П. Гальчинецкий, К.А. Катрунов, В.И. Силин

Изучено влияние гамма-излучения с энергией Е_g=1.25 МэВ и дозами D_gЈ5^.10⁹ рад, а также нейтронов (Е_n>0.55 эВ, из них 85% с Е_n>3МэВ) с флюенсами F_nЈ10¹⁹см², на световыход и спектрально-кинетические характеристики люминесценции новых полупроводниковых сцинтилляторов (ППС) на основе изовалентно легированных (теллуром, кислородом) кристаллов селенида цинка. Показано, что кристаллы ППС обладают очень высокой радиационной стойкостью, и изменение их оптических и люминесцентных свойств становится заметным только при дозах D_g>(7…9)^.10⁷ рад. При дозах гамма-излучения D_g>(2…5)^.10⁹ рад и P_g=7.7^.10² Р^.с^-1 в поверхностном слое, оцениваемом в десятки нм, наблюдаются радиолиз кристаллической структуры и потеря массы образцов (при Т=320 К). Рассмотрены механизмы изменений свойств ППС под действием мощных потоков излучений.