ВАНТ №6 2003

M.Е. Глобус, Б.В. Гринев, В.Р. Любинский, M.А. Ратнер, T.Б. Гринева
Институт монокристаллов НАН Украины, г. Харьков, Украина

Разработанный авторами подход к кинетике радиационных явлений, учитывающий многостороннее влияние структурных дефектов на электронные процессы, использован для анализа литературных данных о радиационных повреждениях сцинтилляционных кристаллов. Радиационные изменения классифицированы по характеру дозовой зависимости и типу электронных процессов. Рекомендуемые методы повышения радиационной стойкости зависят от интервала доз, в котором требуется стабилизировать сцинтилляционные характеристики кристалла.
УДК 621.01

М. Глобус, Б. Гриньов, В. Любинський, Т. Гриньова

Розроблений авторами підхід до кінетики радіаційних явищ, що враховує багатосторонній вплив структурних дефектів на електронні процеси, використовано для аналізу літературних даних про радіаційні пошкодження сцинтиляційних кристалів. Радіаційні зміни класифіковано за характером дозової залежності та типу електронних процесів. Показано, що методи підвищення радіаційної стійкості залежать від інтервалу доз, у якому потрібно стабілізувати сцинтиляційні характеристики кристала.

M. Globus, B. Grinyov, V. Lyubynskiy, T. Hrynova

The approach, developed by the authors to allow a manifold influence of structure defects on the kinetics of radiation changes, is applied for the analysis of published data on radiation damage of scintillation crystals. Radiation changes are classified by the character of dose dependence and the type of electronic processes underlying radiation damage. The proposed ways of the enhancement of radiation hardness depend on the dose range where scintillation characteristics are to be stabilized.