ВАНТ №5 2004

CONTENTS СОДЕРЖАНИЕ СТАТЬЯ

STABILIZATION OF THERMAL BREAKDOWN DEVELOPMENT IN SEMICONDUCTOR FILMS

N.V. Andreyeva1, Yu.P. Virchenko2
1Belgorod State University, Belgorod, Russia e-mail: virch@bsu.edu.ru
2Single Crystal Institute, NASU, Ukraine e-mail: virch@isc.kharkov.com


The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the breakdown regime development.
PACS: 75.50.L; 75.30.С

СТАБИЛИЗАЦИЯ РАЗВИТИЯ ТЕПЛОВОГО ПРОБОЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЁНКАХ

Н.В. Андреева, Ю.П. Вирченко


Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка, большая по величине порога возникновения режима пробоя.

СТАБIЛIЗАЦIЯ РОЗВИТКУ ТЕПЛОВОГО ПРОБОЮ У НАПIВПРОВIДНИКОВИХ ПЛIВКАХ

Н.В. Андреєва, Ю.П. Вiрченко


Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу виникнення режиму пробою.