ВАНТ №3 2005

Методом молекулярной динамики исследованы физические механизмы низкотемпературного ионного уплотнения; показано, что оно происходит благодаря двум физическим механизмам. Первый механизм связан со сглаживанием поверхностного рельефа пленки во время ионной бомбардировки. Это приводит к уменьшению количества «микротрещин», под которыми располагаются поры. Второй механизм ионного уплотнения определяется повышением плотности пленок в результате вбивания и последующей миграции к микропорам собственных междоузельных атомов.

Методом молекулярної динаміки вивчені фізичні механізми низькотемпературного іонного ущільнення. Показано, що іонне ущільнення відбувається завдяки двом фізичним механізмам. Перший механізм пов’язаний із згладжуванням рельєфу поверхні при іонному бомбардуванні. Це призводить до зменшення кількості “мікротріщин”, під якими розташовуються пори. Другий механізм іонного ущільнення визначається підвищенням густини плівок за рахунок вбивання і наступній міграції міжвузельних атомів до мікропор.

The paper is about the physical mechanism of low temperature ion densification of the films performed by the method of mo-lecular dynamics. The investigation shows that the ion densification occurs due to two physical mechanisms. The first mechanism is related with the film smoothing under ion bombarding. It leads to decreasing the quantity of “microcracks” below which pores take place. The second mechanism is the ion densification of films at the expense of knocking-in of interstitial atoms and its further migration to micro voids.