АННОТАЦИИ

ВАНТ №3 2005
СОДЕРЖАНИЕ	СТАТЬЯ
RADIATION-INDUCED PROCESSES IN A²B⁶ AND OXIDE COMPOUNDS UNDER PROTON AND GAMMA-IRRADIATION N.G. Starzhinskiy, V.D. Ryzhikov, L.P. Gal’chinetskiy, L.L. Nagornaya, V.I. Silin Concern “Institute for Single Crystals” of the National Academy of sciences of Ukraine, Kharkov, Ukraine Changes in scintillation and optical properties of semiconductor scintillators (SCS) based on ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) and CdWO₄ (CWO) crystals were studied under influence of ionizing radiations: gamma (~1.3 MeV, up to 500 Mrad), protons (~18 MeV, fluence up to 10¹⁶ perЧcm^-2), electrons (0.54 to 2.26 MeV, up to 50 Mrad), and neutrons (source - thermal reactor channel, fluence up to 10¹⁸ perЧcm^-2). SCS and CWO crystals have high radiation stability (RS) towards irradiation by gamma-rays and neutrons. Under proton irradiation, CWO scintillators have much higher RS as compared with SCS. For SCS under gamma-irradiation with D_g(2…5)Ч10⁹ rad and P_g=7.7Ч10² RЧs^-1, in the surface layer (estimated in tens of nanometers) radiolysis of the crystalline structure occurs, and the loss of mass is observed for the samples (at Т=320 К).
РАДИАЦИОННО-ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ В A²B⁶ И ОКСИДНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ ПОД ПРОТОННЫМ И ГАММА-ОБЛУЧЕНИЕМ Н.Г. Старжинский, В.Д. Рыжиков, Л.П. Гальчинецкий, Л.Л. Нагорная, В.И. Силин Изучено изменение сцинтилляционных и оптических свойств полупроводниковых сцинтилляторов (ППС) ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) и CdWO₄ (CWO) кристаллов при воздействии различных видов ионизи-рующих излучений (гамма, протонов, нейтронов). При облучении кристаллов ППС нейтронами их световыход возраста-ет на 20…150 % и наблюдаются заметные изменения их оптических характеристик в видимом и инфракрасном диапазо-нах. Протонное облучение приводит к существенной деградации оптических и сцинтилляционных параметров кристал-лов ППС, при этом в инфракрасной области наблюдаются селективные полосы поглощения (при 4…7 мкм). Кристаллы CWO обладают более высокой радиационной стойкостью к протонному облучению, чем ППС. При высоких дозах облу-чения ППС (D>2…5·10⁹ рад) в поверхностном слое кристаллов наблюдаются процессы радиолиза и потеря массы облу-ченных образцов.
РАДИАЦІЙНО-ВИПРОМІНЮВАЛЬНІ ПРОЦЕСИ В A²B⁶ ТА ОКСИДНИХ СПОЛУЧЕННЯХ ПІД ПРОТОННИМ ТА ГАМА-ОПРОМІНЕННЯМ М.Г. Старжинський, В.Д. Рижиков, Л.П. Гальчинецький, Л.Л. Нагорна, В.І. Сілін Вивчено зміну сцинтиляційних і оптичних властивостей напівпровідникових сцинтиляторів (НПС) ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) та CdWO₄ (CWO) кристалів при впливі різних видів іонізуючих випромінювань (гамма, протонів, нейтронів). При опроміненні кристалів НПС нейтронами їх світловий вихід зростає на 20...150 % і спостеріга-ються помітні зміни їхніх оптичних характеристик у видимому та інфрачервоному діапазонах. Протонне опромінення приводить до суттєвої деградації оптичних та сцинтиляційних параметрів кристалів НПС при тому в інфрачервоній об-ласті спостерігаються селективні смуги поглинання (при 4...7 мкм). Кристали CWO мають більш високу радіаційну стій-кість до протонного опромінення, ніж НПС. При високих дозах опромінення НПС (D>2...5·10⁹ рад) у поверхневому шарі кристалів спостерігаються процеси радіолізу і втрата маси опромінених зразків.