ВАНТ №5 2005

Исследуются рамановское рассеяние, фотолюминесценция, оптическая проводимость и кристаллическая структура твердых пленок С₇₀ при электронном облучении. Показано, что изменения указанных свойств при различных дозовых нагрузках являются следствием радиационных повреждений, обусловленных смещением атомов углерода в междоузельные положения кристаллической ГПУ–решетки твердых фуллеренов С₇₀. Механизмы влияния на электронные, колебательные, экситонные спектры в пленках С₇₀ являются более слож-ными, чем в случае твердых С₆₀.

Досліджуються раманівське розсіяння, фотолюмінесценція, оптична провідність та кристалічна структура твердих плівок С₇₀ при електронному опроміненні. Показано, що зміни вказаних властивостей при різних дозових навантаженнях є наслідком радіаційних пошкоджень, які обумовлені зміщенням атомів вуглецю у міжвузлові положення кристалічної ГЩУ-гратки твердих фулеренів С₇₀. Механізми впливу на електронні, коливні, екситонні спектри у плівках С₇₀ є більш складними ніж у випадку твердих С₆₀.

Raman scattering, photoluminescence, optical conductivity and crystal structure of the solid C₇₀ films during the electronic irradiation are instudie in detail. It is shown that changes in the indicated properties at the different dose loads are the consequence of the radiation damages, caused by the atomic displacement of carbon atoms to the interstitial positions of the crystalline hdp lattice of solid C₇₀. The mechanisms of influence on the electronic, vibrational and exciton spectra in the C₇₀ films are more complicated than in the case of solid C₆₀.