ВАНТ №6 2005 | ||
| CONTENTS | СОДЕРЖАНИЕ | СТАТЬЯ |
STUDYING ELECTRO-PHYSICAL CHARACTERISTICS OF DETECTING ELEMENTS ON THE OHMIC SIDE OF SILICON MICROSTRIP DETECTORN.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev National Science Center “Kharkov Institute of Physics and Technology”, Kharkov, Ukraine e-mail: astarodubtsev@kipt.kharkov.ua The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode separating p+ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p+ stop structure on the DSMD interstrip resistance and interstrip capacitance is considered. | ||
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОМИЧЕСКОЙ СТОРОНЕ КРЕМНИЕВОГО МИКРОСТРИПОВОГО ДЕТЕКТОРАН.И. Маслов, С.М. Потин, А.Ф. Стародубцев Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов (ДСМД), имеющих диодные разделяющие p+ стоп структуры различных типов и размера. Рассмотрено влияние p+ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД. | ||
ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТУЮЧИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОМІЧНІЙ СТОРОНІ КРЕМНІЄВОГО МІКРОСТРИПОВОГО ДЕТЕКТОРАМ.І. Маслов, С.М. Потін, О.Ф. Стародубцев Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p+ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p+ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД. | ||