ВАНТ №1 2006
СОДЕРЖАНИЕ СТАТЬЯ

МЕТОДИКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ ГАЛЛИЯ В СПЛАВЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ


Л.А. Пироженко, Г.П. Ковтун, Т.П. Рыжова, А.П. Щербань
Национальный научный центр “Харьковский физико-технический институт”, г. Харьков, Украина


Уточнены условия фотометрического метода определения Ga с ксиленоловым оранжевым в слабокислой среде. Подобраны условия определения Ga в сплаве с кремнием в присутствии небольших количеств фторидов. Разработан точный экспрессный метод определения галлия в лигатуре на основе сплава с кремнием в интервале концентраций СGa = 0,02…1,0 мас. %.

МЕТОДИКА ВИЗНАЧЕННЯ ВМІСТУ ГАЛІЮ У СПЛАВІ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ


Л.О. Пироженко, Г.П. Ковтун, Т.П. Рижова, О.П. Щербань


Уточнені умови фотометричного методу визначення Ga з ксиленоловим оранжевим у слабокислому середовищі. Підібрані умови визначення Ga у сплаві з кремнієм у присутності невеликої кількості фторидів. Розроблений точний експресний метод визначення галію у лігатурі на основі сплаву з кремнієм в інтервалі концентрацій СGa = 0,1…1,0 мас.%.

METHOD FOR DETERMINING GALLIUM IN ALLOY ON BASIS OF SILICON


L.A. Pirozhenko, G.P. Kovtun, T.P. Ryzhova, A.P. Shcherban’


The conditions of photometric method for determining Ga with xylenol orange in a weakly acid medium are made more exact. The conditions for determining Ga in alloy with silicon in presence of small quantity of fluorides are selected. The exact express method for determining gallium in ligature on basis of alloy with silicon in the range of concentrations СGa = 0,1…1,0 wt.% is developed.