ВАНТ №3 2006

CONTENTS СОДЕРЖАНИЕ СТАТЬЯ

AN INFLUENCE OF GAMMA-IRRADIATION AND 238U FRAGMENTS ON SINGLE-CRYSTAL SILICON PROPERTIES


A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, G.D. Pugachev, V.S. Dyomin, N.A. Dovbnya, J.E. Gordienko1, B.G. Borodin1, S.V. Babychenko1, T.A. Semenets1
NSC KIPT, Kharkov, Ukraine 1Kharkov National University of Radioelectronics, Kharkov, Ukraine
E-mail: yefimov@kipt.kharkov.ua


In the paper the processes of accumulation of radiation defects, formed by fragments of 238U nucleus fission, for forming of amorphous phases in the bulk of single-crystal silicon and the influence of the temperature annealing of defects on the properties of disordered structures are investigated.

ВОЗДЕЙСТВИЕ g- ОБЛУЧЕНИЯ И ОСКОЛКОВ ЯДЕР 238U НА СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ


А.Н. Довбня, В.П. Ефимов, Г.Д. Пугачев, В.С. Демин, Н.А. Довбня, Ю.Е. Гордиенко, Б.Г. Бородин, С.В. Бабыченко, Т.А. Семенец


Исследуются процессы накопления радиационных дефектов, образованных осколками деления ядер 238U, для формирования аморфных фаз в объеме монокристаллического кремния и влияния температуры отжига дефектов на свойства разупорядоченных структур.

ВПЛИВ g- ОПРОМІНЕННЯ ТА ОСКОЛКІВ ЯДЕР 238U НА ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ


А.М. Довбня, В.П. Єфімов, Г.Д. Пугачьов, В.С. Дьомін, Н.А. Довбня,Ю.О. Гордієнко, Б.Г. Бородін, С.В. Бабиченко, Т.А. Семенець


Досліджуються процеси накопичення радіаційних дефектів, утворених осколками ділення ядер 238U, для формування аморфних фаз в об'ємі монокристалічного кремнію та впливу температури віджига дефектів на властивості розупорядкованих структур.