PAST №3 2013 | ||
CONTENTS | СОДЕРЖАНИЕ | ARTICLE |
TRIGGERING OF 178m2Hf ISOMER EMBEDDED IN Ta MATRIX BY 30 keV ELECTRONSA.N. Dovbnya1, S.S. Kandybei1, V.I. Kirischuk2*, Yu.N. Ranyuk1 1National Science Center "Kharkov Institute of Physics and Technology", Kharkov, Ukraine; 2Institute for Nuclear Research, Kiev, Ukraine *E-mail: kirisch@mpca.kiev.ua (Received February 5, 2013)
178m2Hf isomer triggering was studied using the upgraded experimental setup developed in Kharkiv National University and installed at Kyiv Institute for Nuclear Research. The target presenting a single Ta foil of 300 μm
thickness with 178m2Hf isomeric activity of about 100 Bq was irradiated by 30 keV electron beam. The enhanced counting rates of all the ground-state band transitions were observed. Our data are consistent with an estimate
for the triggering effect of (2.9 ± 0.7)% and corresponding triggering cross-section can qualitatively be estimated as
σtrig = 4.2 × 10-27 cm2.
| ||
ТРИГГЕРИНГ ИЗОМЕРА 178m2Hf, ВНЕДРЁННОГО В Ta-МАТРИЦУ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ 30 кэВ ЭЛЕКТРОНАМИА.Н. Довбня, С.С. Кандыбей, В.И. Кирищук, Ю.Н. Ранюк Используя усовершенствованную экспериментальную установку, разработанную в Харьковском национальном университете и собраную в Киевском Институте ядерных исследований, изучался триггеринг изомера 178m2Hf. В качестве мишени использовалась танталовая фольга толщиной 300 мкм с 178m2Hf активностью около 100 Бк, которая облучалась электронным пучком с энергией 30 кэВ. Наблюдалось увеличение интенсивности всех переходов основной полосы. По полученным данным эффект триггеринга составляет (2.9 ± 0.7)% и качественная оценка сечения триггеринга соответсвует σtrig = 4.2 × 10−27 см2 . | ||
ТРIГГЕРIНГ IЗОМЕРУ 178m2Hf, ВБУДОВАННОГО В Ta-МАТРИЦЮ ПРИ ОПРОМIНЕННI 30 кеВ ЕЛЕКТРОНАМИА.М. Довбня, С.С. Кандибей, В.I. Кирищук, Ю.М. Ранюк Використовуючи вдосконалену експериментальну установку, розроблену в Харкiвському нацiональному унiверситетi та зiбрану в Київському Iнститутi ядерних дослiджень, вивчався трiггерiнг iзомеру 178m2Hf. В якостi мiшенi використовувалась танталова фольга товщиною 300мкм з 178m2Hf активнiстю близько 100 Бк, яка опромiнювалась пучком електронiв з енергiєю 30 кеВ. Спостерiгалося збiльшення iнтенсивностi всiх переходiв основної смуги. За отриманими даними ефект трiггерiнга становить (2.9 ± 0.7)% i якiсна оцiнка перетину трiггерiнга вiдповiдає σtrig = 4.2 × 10−27 см2. |