ПАНТ №2 2025

PAST №2 2025

The electrical and dielectric properties of TlGa_1-xInSe₂ solids in a large temperature and frequency range, as well as the effect of γ-rays at a dose of 75 Mrad on them, were explained by means of possible mechanisms. Based on the results of the study of the temperature dependence of the electrical conductivity of TlGa_1-xInSe₂ (x=0; 0.1; 0.2) solid solutions before and after irradiation with different doses in the temperature range of 100…300 K, the temperature and frequency intervals of the presence of jump conductivity were determined. During the study of the temperature dependence of the electrical conductivity of solid solutions, the existence of two parts in the change of the specific conductivity was shown. In the studied solid solution samples, there is a sharp increase in the dielectric constant at a certain critical temperature. Above room temperature, the experimental points of ln(ε) are characterized by a straight line as a function of 1/T, which is a characteristic property of ionic conductivity.
PACS: 61.72.-y

За допомогою можливих механізмів пояснено електричні та діелектричні властивості твердих тіл TlGa_1-xInSe₂ у широкому діапазоні температур і частот, а також вплив на них γ-випромінювання при дозі 75 Мрад. За результатами дослідження температурної залежності електропровідності твердих розчинів TlGa_1-xInSe₂ (x=0; 0,1; 0,2) до та після опромінення різними дозами в інтервалі температур 100…300 К встановлено температуру та визначено частотні інтервали наявності стрибкової провідності. При дослідженні температурної залежності електропровідності твердих розчинів було показано існування двох частин у зміні питомої провідності. У досліджуваних зразках твердого розчину спостерігається різке зростання діелектричної проникності при певній критичній температурі. Вище кімнатної температури експериментальні точки ln(ε) характеризуються прямою лінією як функція 1/T, яка є характерною властивістю іонної провідності.